北京交通大学电子科学与技能专业考研概况(北京交通大学电子信息类专业就业方向)

原标题：北京交通大学电子科学与技能专业考研概况

一、招生信息
招生院系： 电子信息工程学院
招生专业： 080900 电子科学与技能
招生人数： 全日制拟招生人数(推免生)：40（21）
复试分数线：320分
二、研讨方向及考试类别
研讨方向：01 电磁场与微波技能
考试类别
① 101思维政打点论
② 201英语一
③ 301数学一
④ 911电磁场与电磁波
复试类别
01109信号与体系（一）或01104大学物理（二选一）
研讨方向：02 信号处置与电子体系
考试类别
① 101思维政打点论
② 201英语一
③ 301数学一
④ 910电子技能（仿照、数字）
复试类别
01109信号与体系（一）
研讨方向：03 微电子与固体电子学
考试类别
① 101思维政打点论
② 201英语一
③ 301数学一
④ 893集成电路方案基础（一）
复试类别
01107电子技能（仿照、数字）
三、专业课参阅书目
911电磁场与电磁波：《电磁场与电磁波》 北京交通大学出书社 2014年1月,邵小桃，李一玫，王国栋编著；钟顺时的《电磁场基础》；谢处方的《电磁场与电磁波》；
910电子技能（仿照、数字）：侯建军主编的《数字电子技能基础》，高级教育出书社，第2版；李金平，路勇主编的《仿照集成电路基础》，清华大学出书社。
893集成电路方案基础（一）：cmos analog circuit design, second edition电子工业出书社phillip e. allen, douglas r. holberg；
专业课考试大纲
893集成电路方案基础（一）
仿照集成电路方案概论
集成电路打开简介
仿照集成电路方案根柢概念
仿照集成电路方案流程
mos器件物理基础与建模
半导体材料与器件基础
cmos技能与技能基础
mosfet开关与规划
mos器件i/v特性
mos器件二级效应
mos器件地图与电容
mos器件小信号模型与spice模型
nmos与pmos器件的比照
长沟道器件与短沟道器件的比照
单级扩展器
单级扩展器根柢概念
共源级扩展器
源跟从器
共栅级扩展器
共源共栅级扩展器
器件模型的选择
差动扩展器
单端与差动的作业方法
根柢差动对分析
共模呼应
mos为负载的差动对
吉尔伯特单元
无源与有源电流镜
根柢电流镜
共源共栅电流镜
有源电流镜分析
运算扩展器方案与分析
运算扩展器根柢概念与使用
一级运算扩展器
二级运算扩展器
增益的前进
运算扩展器功能比照
共模反应
输入规模捆绑
变换速率
电源抑制
911电磁场与电磁波
矢量核算
矢量与矢量场的不变特性
亥姆霍兹定理
散度、旋度和梯度的物理意义
散度定理
斯托克斯定理
静电场
电荷密度的概念与模型
库仑定理和电场强度
电位概念及核算
电介质的极化
根柢方程
鸿沟条件
格林定理和仅有性定理
别离变量法（要点为直角坐标中的二维别离变量法）
镜像法的核算（要点为直角坐标和球坐标的镜像法）
分布电容概念
静电场的能量和能量密度的概念。
平稳电场
电流密度的概念与模型
电流密度与电荷密度的联络
电流密度和电场强度的联络
电流密度与功率密度的联络
根柢方程
鸿沟条件
静电比较法的核算（要点是电导和接地电阻的核算）
平稳磁场
安培规则

比奥-沙伐规则
磁介质的磁化
标量磁位的概念
根柢方程
鸿沟条件
自感（包括内自感和外自感）
互感
磁场能量和能量密度的概念。
时变电磁场
法拉第定理
位移电流
麦克斯韦方程组
鸿沟条件
似稳电磁场
复数方法标明和核算正弦电磁场
等效来电容率和复磁导率
坡印廷定理和坡印廷矢量
不坚决方程
平面电磁波
均匀平面波和横电磁（tem）波的概念
均匀平面波时域或复数方法表达式的各项参数的概念和核算
均匀平面波有抱负介质中的传达特性
均匀平面波在导电媒质中的传达特性
色散媒质的概念
均匀平面波在两种不一样媒质分界面上笔直入射特性
均匀平面波在两种不一样媒质分界面上斜入射特性（要点为全反射和全折射，包括均匀平面波有抱负导体表面的斜入射特性和核算）
导行电磁波
导行波的根柢概念
矩形波导中横电（te）波和横磁（tm）波的传达特性
te10模的特性
波导参数的核算
谐振腔原理
910电子技能（仿照、数字）
仿照电子技能：
半导体器件基础
双极型晶体管和场效应管特性和参数。
双极型三极管根柢扩展电路静态、动态的定性、定量分析与方案。
场效应管根柢扩展电路静态、动态分析。
输入差分扩展电路
（1） 电流源电路的作业原理。
（2） 差分扩展电路的构成和作业原理。
（3） 差放的静态和动态参数的分析办法。
输出功率扩展电路
（1） 功率扩展电路的根柢概念。
（2） 功率扩展电路最大输出功率和变换功率的分析办法。
（3） 功率扩展电路使用中的有关疑问。
扩展电路的频率呼应
（1） 频率呼应的分析办法。
（2） 扩展器的频响分析。
（3） 扩展器展宽频带的办法。
扩展电路的反应特性
（1） 反应的根柢概念和反应类型的判别办法，深度负反应条件下扩展电路的分析办法。
（2） 负反应对扩展电路功能的影响。
（3） 根据需要在扩展电路中引入反应的办法。
（4） 负反应扩展电路发生自激振荡的缘由。
（5）负反应扩展电路平稳性。
运算扩展器及其使用
（1） 抱负集成运算扩展器模型和特性。
（2） 仿照运算电路的分析办法。
（3） 抱负集成运算扩展器的其他使用。
直流稳压电源
（1） 单相整流电路的作业原理和分析、方案办法。
（2） 集成稳压器的使用。
数字电子技能：
1． 数字逻辑基础
（1） 数字逻辑基础概述。
（2） 数制与编码。
（3） 逻辑函数的标明办法。
2． 逻辑门电路
（1） ttl、mos与、或、非电路原理与使用、集成写入逻辑电路i2l原理。
（2） 三态门、oc门原理。
（3） 集成电路的作业进程与外部特性、三态总线传输数据体系的使用。
3． 组合逻辑电路
（1） 组合逻辑电路的分析及其使用。
（2） 组合逻辑电路竞赛与冒险的机理、冒险表象的辨认、冒险表象的消除办法。
4． 时序逻辑电路
（1） 时序电路的特征及其规划，同步时序电路的分析与方案。
（2） 边缘jk触发器规划及作业原理。主从jk触发器对鼓励信号的需求。
5. 常用时序集成电路及其使用
（1） 中规划同步、异步计数器的作业原理与使用、中规划集成存放与移位存放器的作业原理与使用。
（2） 反应移位型序列信号发生器，最长线性移位存放器序列信号发生器。
（3） 计数器型序列信号发生器原理与特征。
6．可编程逻辑器件
（1） 可编程逻辑器件的根柢概念与根柢单元。
（2） 可编程逻辑器件的作业原理与特征，高密度可编程逻辑器件hdpld和现场可编程门阵列fpga作业原理 。
（3） 随机造访存储器ram原理及其使用。
7． a/d变换器与d/a变换器
（1） dac与adc根来历理，r-2r网络型d/a变换器，集成dac0832及其使用。
（2） 并行、串行比照型adc。逐次比照型、双积分型a/d变换器。
8． 脉冲的发生和整形
（1） 单稳态触发器作业原理与使用。集成单稳态触发器。
（2） 晶体振荡器。集成555守时器及其使用。
（3） 施密特触发器的根柢作业原理。
四、考研经历
关于报考北京交通大学电子科学与技能专业的考生来说，真题关于考研专业课的温习对错常重要的，因为北京交通大学官只给了参阅书目，并没有考研大纲，所以真题是北京交通大学考研学子最重要的材料，真题除了能告诉咱们哪些常识点最重要，考哪些题型之外还能给咱们反映出题难度如何，考点及要点规模有哪些，每个常识点的出题频率，每个章节的分值比重，各个章节的出题比重，每年都要重复考的常识点等等。
北京交通大学911电磁场与电磁波的专业课真实是太难，材料又少，做真题做个5到6遍，除了李一玫的书外，多看几本其他的书，钟顺时的《电磁场基础》，谢处方的《电磁场与电磁波》，这两本书都比照好。考这个专业真是累，专业课太难！
首要基础要打牢，常识点、各种改换的公式要记牢（公式记不住，做题做个pp）；其次是做题做题再做题，盲意图题海战术也是无吃苦，错题要及时记载，及时温习，回想的常识点就要考自个回想了，每自个都有自个的回想办法，我就不赘述了，信号与体系与高数有想通的当地，状况方程的解法比高数微分方程简略多，（所以我特别想用信号与体系的办法解微分方程，解微分方程的公式也忒难记了啊啊啊！！！）
最终就是真题，真题是很名贵的材料，我们不要像做相同刷刷刷的做啊，必定要规则好一个时刻，最佳是组织鄙人午，跟考研同步，在规则的时刻内做完，初度刷真题必定会有许多题不会，别忧虑，我们都这样，多做几遍就好。
因为考不一样的学校不一样的专业，专业课的温习也纷歧样，我们可以联络一下报考专业的学姐学长晓得下，在网上搜下历年考题，拟定好方案细心温习，尽管每自个的情况不一样，可是专业也不能松懈，因为专业必定是拉分项目，我这儿共享一下我温习进程中温习的要点。具体规模如下：
1．仿照集成电路方案、制造进程的根柢概念（包括掩膜的技能功用、掩膜在制造进程中的使用、简略地图辨认）。（参阅书第1、2章）。
2．根柢mos器件的模型及其分析办法（包括mos管根柢模型、直流特性、频率特性）。（参阅书第3章）。
3．cmos根柢仿照单元电路分析（参阅书第4章）
4．cmos扩展器根柢规划和特性参数分析（参阅书第5章）。
5.二级运算扩展器分析与方案基础（参阅书第6章）
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